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　　2023年11月29-30日，第八屆中國分析儀器學(xué)術(shù)大會（ACAIC 2023）在浙江杭州成功舉辦。本屆大會由中國儀器儀表學(xué)會分析儀器分會主辦，吸引了全國500余位科技管理人員、專家學(xué)者和和儀器企業(yè)相關(guān)人員齊聚杭州，并組織了11個分論壇，聚焦分析儀器、生命科學(xué)儀器、電鏡、半導(dǎo)體，以及核心零部件、臨床診斷等主題。

　　論壇現(xiàn)場

　　分析儀器在集成電路技術(shù)發(fā)展中具有非常重要的地位。它們在材料分析、工藝監(jiān)控、失效分析和研發(fā)支持等方面都發(fā)揮著不可或缺的作用，為推動集成電路技術(shù)的進(jìn)步提供了強有力的支持。11月30日上午，由中國儀器儀表學(xué)會分析儀器分會、中國科學(xué)院半導(dǎo)體所集成技術(shù)中心共同組織，上海精測半導(dǎo)體技術(shù)有限公司冠名贊助的“集成電路技術(shù)發(fā)展與分析儀器創(chuàng)新論壇”成功召開。

　　中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所研究員 王曉東 主持會議

　　上海精測半導(dǎo)體技術(shù)有限公司 周濤博士 致辭

　　本次會議由中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所王曉東研究員主持，上海精測半導(dǎo)體技術(shù)有限公司周濤為會議致辭。致辭結(jié)束后，會議進(jìn)入報告環(huán)節(jié)。

　　報告人：杭州士蘭微電子股份有限公司先進(jìn)功率系統(tǒng)研究院院長 劉慧勇

　　報告題目：芯片行業(yè)用到的量測和檢測設(shè)備概覽

　　芯片制造過程必須經(jīng)歷多次量測(Metrology)和檢測(Inspection)以確保產(chǎn)品質(zhì)量，其中量測設(shè)備用于工藝控制和良率管理，要求快速、準(zhǔn)確且無損；檢測設(shè)備則對不同工藝后的晶圓進(jìn)行無損的定量測量和檢查，用以保證關(guān)鍵物理參數(shù)(如膜厚、線寬、槽/孔深度和側(cè)壁角度等) 滿足要求，同時發(fā)現(xiàn)可能出現(xiàn)的缺陷并對其分類，及時剔除不合格晶圓。

　　報告中，劉慧勇院長介紹了芯片行業(yè)用到的量測和檢測儀器分類標(biāo)準(zhǔn)、常用儀器介紹、行業(yè)全球情況和行業(yè)本土情況，并表示，芯片生產(chǎn)全程需要各種量測和檢測儀器為其保駕護(hù)航，國產(chǎn)替代前景廣闊。此外，劉慧勇還提到諸如橢偏儀、四探針測試儀、薄膜應(yīng)力測試儀、熱波儀、擴(kuò)散濃度測試儀、少子壽命測試儀、拉曼光譜儀、二次離子質(zhì)譜儀等工業(yè)上用量較少的儀器缺少關(guān)注。

　　報告人：上海集成電路材料研究院性能實驗室總監(jiān) 王軼瀅

　　報告題目：提升分析檢測能力，助力集成電路材料發(fā)展

　　全球已將半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)視為戰(zhàn)略資源，各國政府如美國、日本、韓國、歐盟與中國等紛紛推動半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)振興相關(guān)政策，試圖扶持本土半導(dǎo)體制造業(yè)以及加強與海外半導(dǎo)體企業(yè)合作。除先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)的研發(fā)投資外，供應(yīng)鏈安全也是各國高度關(guān)注的重點。材料創(chuàng)新支撐集成電路發(fā)展，材料性能嚴(yán)重影響芯片質(zhì)量，集成電路材料國產(chǎn)替代正當(dāng)時。提升分析檢測能力對集成電路材料的發(fā)展具有重要意義。

　　王軼瀅認(rèn)為，集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展歷程中，分析檢測技術(shù)在各里程碑時刻也發(fā)揮了重要作用。我國集成電路產(chǎn)業(yè)國產(chǎn)化進(jìn)程逐漸向上游深入，集成電路材料目前自給率有所提升，但仍需要持續(xù)研發(fā)并提升質(zhì)量。當(dāng)前迫切需要完善系統(tǒng)全面科學(xué)的材料分析與檢測體系，助力集成電路材料國產(chǎn)化打破基礎(chǔ)制約因素。

　　報告人：上海精測半導(dǎo)體技術(shù)有限公司產(chǎn)品經(jīng)理 羅滸

　　報告題目：FIB/SEM雙束電鏡在集成電路失效分析中的應(yīng)用

　　據(jù)介紹，聚焦離子束FIB是通過把離子束聚焦成納米級光束 (<5nm)，實現(xiàn)材料微納加工的一種新技術(shù)。1978 年美國加州休斯研究所建立了世界上第一臺鎵液態(tài)金屬離子源的FIB 加工系統(tǒng)，距今己有40多年的歷史。FIB優(yōu)異的加工性能搭配上SEM高分辨成像能力，其組成的雙束電鏡在材料形貌表征、微納米結(jié)構(gòu)加工、TEM樣品制備、材料輻照改性、定點微區(qū)分析、3D微結(jié)構(gòu)重構(gòu)和IC芯片缺陷分析、修復(fù)等領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。報告中，羅滸主要介紹了上海精測半導(dǎo)體技術(shù)有限公司電子光學(xué)部門相關(guān)產(chǎn)品，重點介紹了公司自主研發(fā)AeroScan Duo系列FIB/SEM雙束電鏡研發(fā)進(jìn)展以及在科研、工業(yè)領(lǐng)域的應(yīng)用情況。

　　報告人：北京聚睿眾邦科技有限公司市場總監(jiān) 朱震

　　報告題目：半導(dǎo)體檢測與SEMI認(rèn)證技術(shù)

　　當(dāng)前，半導(dǎo)體芯片已成為各行各業(yè)的核心“糧食”。而高集成度和高性能需要超高強度研發(fā)，其中檢測技術(shù)是關(guān)鍵。半導(dǎo)體檢測服務(wù)在產(chǎn)業(yè)鏈中至關(guān)重要，而半導(dǎo)體檢測認(rèn)證對良率提升價值巨大，決定成敗。報告中，朱震分享了半導(dǎo)體檢測技術(shù)概況、SEMI認(rèn)證技術(shù)概況和項目情況介紹。

　　報告人：中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所高級工程師 顏偉

　　報告題目：測試分析儀器在半導(dǎo)體器件與芯片研發(fā)中的應(yīng)用

　　半導(dǎo)體指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體與絕緣體之間的材料。半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能通過“摻雜”的方式人工調(diào)控。半導(dǎo)體內(nèi)部有電子和空穴兩種導(dǎo)電的載流子，從而可以將半導(dǎo)體分為P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體，它們之間可以形成PN結(jié)。報告中，顏偉介紹了半導(dǎo)體研發(fā)中用到的關(guān)鍵測試分析儀器以及飛秒激光時域熱反射測試技術(shù)，并表示飛秒激光時域熱反射測試技術(shù)有力支撐了熱電相關(guān)的前沿和應(yīng)用科學(xué)探索。

　　報告人：中國科學(xué)院微電子研究所 屈芙蓉學(xué)生代講

　　報告題目：集成電路先進(jìn)制程關(guān)鍵裝備

　　隨著集成電路先進(jìn)制程工藝的快速發(fā)展、器件尺寸的縮小以及新結(jié)構(gòu)的采用，都將對制備工藝提出更高的要求，同時也對集成電路裝備提出新的需求。集成電路先進(jìn)制程關(guān)鍵工藝及設(shè)備主要包括了光刻設(shè)備、薄膜沉積和刻蝕工藝設(shè)備。其中原子層沉積（ALD）作為一種薄膜沉積技術(shù)具有優(yōu)秀的臺階覆蓋率、表面粗糙度和厚度控制能力，原子層刻蝕（ALE）相比于其他刻蝕工藝可以實現(xiàn)優(yōu)秀的線寬、表面粗糙度、刻蝕均勻性、刻蝕深度和成分控制。報告主要介紹了課題組在ALD、ALE工藝及裝備的研究進(jìn)展及展望。

　　本次“集成電路技術(shù)發(fā)展與分析儀器創(chuàng)新論壇” 將助力集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展、探索國產(chǎn)儀器在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的應(yīng)用前景，激發(fā)創(chuàng)新思維，促進(jìn)合作共贏，為分析儀器行業(yè)發(fā)展注入新的動力。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展，國產(chǎn)分析儀器的種類和性能也在不斷提高和完善，將為集成電路技術(shù)的持續(xù)創(chuàng)新提供了有力保障。