北京工業(yè)大學(xué)“原位透射電鏡電學(xué)液體芯片及其制備方法”專利公布，申請公布日為6月9日，申請公布號(hào)為CN116242847A。
專利摘要顯示，本發(fā)明涉及原位透射電鏡技術(shù)領(lǐng)域，提供一種原位透射電鏡電學(xué)液體芯片及其制備方法。原位透射電學(xué)液體芯片包括：功能芯片、蓋板芯片和蓋板；功能芯片包括：第一基底、第一薄膜承載層和金屬電極層，金屬電極層包括工作電極、對電極和參比電極導(dǎo)線；鈍化保護(hù)層，部分覆蓋第一薄膜承載層和金屬電極層；蓋板芯片包括：第二基底和第二薄膜承載層；蓋板設(shè)置于功能芯片的頂部，覆蓋儲(chǔ)液槽。
據(jù)悉，本發(fā)明提供的原位透射電鏡電學(xué)液體芯片及其制備方法，在實(shí)現(xiàn)液體環(huán)境施加的基礎(chǔ)上，將傳統(tǒng)電化學(xué)領(lǐng)域的三電極測試體系引入透射電鏡，可對液體環(huán)境中樣品的電化學(xué)行為進(jìn)行原子尺度原位動(dòng)態(tài)觀測的同時(shí)，完成電學(xué)信號(hào)的精確控制及采集。
