據(jù)合肥日報報道，國內(nèi)首個專用于量子芯片生產(chǎn)的MLLAS-100激光退火儀（以下簡稱“激光退火儀”）已研制成功，可解決量子芯片位數(shù)增加時的工藝不穩(wěn)定因素，像“手術(shù)刀”一樣精準(zhǔn)剔除量子芯片中的“瑕疵”，增強(qiáng)量子芯片在向多比特擴(kuò)展時的性能，從而進(jìn)一步提升量子芯片的良品率。
報道顯示，該激光退火儀由合肥本源量子計算科技有限責(zé)任公司完全自主研發(fā)，可達(dá)到百納米級超高定位精度，對量子芯片中單個量子比特進(jìn)行局域激光退火，從而定向控制修飾量子比特的頻率參數(shù)，解決多比特擴(kuò)展中比特頻率擁擠的問題，助力量子芯片向多位數(shù)擴(kuò)展。
安徽省量子計算工程研究中心副主任賈志龍表示，這臺激光退火儀擁有正向和負(fù)向兩種激光退火方式，可以在生產(chǎn)過程中靈活調(diào)節(jié)多比特超導(dǎo)量子芯片中量子比特的關(guān)鍵參數(shù)。同時，該設(shè)備還可用于半導(dǎo)體集成電路芯片、材料表面局域改性處理等領(lǐng)域，目前已在國內(nèi)第一條量子芯片生產(chǎn)線上投入使用。
