近日，由上海寶山區(qū)企業(yè)費勉儀器牽頭申報的國家重點研發(fā)計劃基礎(chǔ)科研條件與重大科學儀器設(shè)備重點專項項目“裂解源”獲批立項，項目編號2022YFF0707600。
該國家重點研發(fā)計劃重點專項項目以費勉儀器為牽頭單位，聯(lián)合東北大學、電子科技大學和中國科學院金屬材料研究所，各方圍繞裂解源研發(fā)關(guān)鍵問題進行課題分工，共同執(zhí)行項目任務(wù)。
本項目立足于“基礎(chǔ)科研條件與重大科學儀器設(shè)備研發(fā)”重點專項下的“核心關(guān)鍵部件開發(fā)與應(yīng)用”專題，開發(fā)裂解源關(guān)鍵部件，突破多溫區(qū)獨立控溫、超高真空下突破熱解氮化硼耐溫極限的加熱部件設(shè)計、超高真空下能預(yù)防材料沉積堵塞的閥門設(shè)計等關(guān)鍵技術(shù)，開展工程化開發(fā)、應(yīng)用示范和產(chǎn)業(yè)化推廣，形成具有自主知識產(chǎn)權(quán)、質(zhì)量穩(wěn)定可靠的部件產(chǎn)品，實現(xiàn)在分子束外延系統(tǒng)、原子層沉積設(shè)備和真空表面處理設(shè)備等儀器設(shè)備中的應(yīng)用。
裂解源是分子束外延、原子層沉積和真空表面處理設(shè)備和工藝中的關(guān)鍵核心部件，在半導體技術(shù)領(lǐng)域，尤其是薄膜沉積領(lǐng)域，部分材料的生長工藝只能采用裂解源，高性能的氣體裂解源也是解決化合物半導體界面問題的關(guān)鍵。相較于國外幾十年的長期研發(fā)和產(chǎn)品迭代，國內(nèi)化合物半導體產(chǎn)業(yè)在整機設(shè)備和裂解源等核心部件的技術(shù)水平落后于國外先進水平，長期依賴進口。要想實現(xiàn)在化合物半導體產(chǎn)業(yè)的突破，擺脫來自國外的限制，高性能裂解源的國產(chǎn)化是必須攻克的難關(guān)。
費勉儀器作為一家高新技術(shù)和科技小巨人培育企業(yè)，有著豐富的技術(shù)積累，并已發(fā)展出成熟的產(chǎn)品線。公司目前經(jīng)營方向涵蓋真空技術(shù)、低溫技術(shù)、薄膜制備以及等離子技術(shù)四大板塊。針對科研市場需求，公司采用了標準化的產(chǎn)品思路，為用戶提供各種高性能的標準化產(chǎn)品模塊和定制化整機系統(tǒng)。同時，針對國內(nèi)產(chǎn)業(yè)界需求，公司也將先進技術(shù)推廣到生產(chǎn)裝備制造領(lǐng)域，由費勉儀器設(shè)計制造的“分子束外延裝置”“激光巴條鈍化裝置”已經(jīng)進入實際的生產(chǎn)場景，服務(wù)越來越多的客戶，為國家產(chǎn)業(yè)升級戰(zhàn)略貢獻一份力量。
